半导体结构及其形成方法

Abstract

本披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层设置在第一III‑V化合物层上并且成分与第一III‑V化合物层不同。一界面被限定在第一III‑V化合物层和第二III‑V化合物层之间。栅极设置在第二III‑V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III‑V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。

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